HomeBeritaBeritaPenumbuhan Film Tipis Semikonduktor Titanium Dioksida TiO2 dengan Metode Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Titanium Dioksida TiO2 dengan Metode Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Titanium Dioksida TiO2 dengan Metode Metal Organic Chemical Vapor Deposition

[www.uinsgd.ac.id] Film tipis TiO2 telah berhasil ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) dengan metode Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium (IV) isopropoxide [TTIP, Ti(OC3H7] 99,99%. Dari hasil karakterisasi XRD diperoleh informasi bahwa pengubahan temperatur penumbuhan dari 350°C sampai 550°C telah mengubah struktur kristal dari struktur amorf ke struktur rutil yang berorientasi tunggal (002). Penumbuhan pada temperatur 450°C menghasilkan bidang kristal rutil (002) yang lebih baik dari film yang ditumbuhkan pada temperatur 400°C. Hal ini ditunjukkan oleh intensitas difraksi sinar-X bidang R(002) yang semakin tinggi dengan naiknya temperatur. Berdasarkan hasil karakterisasi EDS, diketahui bahwa penambahan temperatur penumbuhan dari 350°C ke 450°C dapat mengurangi kandungan C di dalam film dari 1,78% menjadi 0,94%.***

 

WhatsApp
Facebook
Telegram
Print
Twitter

Tinggalkan Balasan

Alamat email Anda tidak akan dipublikasikan. Ruas yang wajib ditandai *