UIN SUNAN GUNUNG DJATI BANDUNG

Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Titanium Dioksida TiO2 dengan Metode Metal Organic Chemical Vapor Deposition

[www.uinsgd.ac.id] Film tipis TiO2 telah berhasil ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) dengan metode Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium (IV) isopropoxide [TTIP, Ti(OC3H7] 99,99%. Dari hasil karakterisasi XRD diperoleh informasi bahwa pengubahan temperatur penumbuhan dari 350°C sampai 550°C telah mengubah struktur kristal dari struktur amorf ke struktur rutil yang berorientasi tunggal (002). Penumbuhan pada temperatur 450°C menghasilkan bidang kristal rutil (002) yang lebih baik dari film yang ditumbuhkan pada temperatur 400°C. Hal ini ditunjukkan oleh intensitas difraksi sinar-X bidang R(002) yang semakin tinggi dengan naiknya temperatur. Berdasarkan hasil karakterisasi EDS, diketahui bahwa penambahan temperatur penumbuhan dari 350°C ke 450°C dapat mengurangi kandungan C di dalam film dari 1,78% menjadi 0,94%.***